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Si7272DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
T J = 150 °C
0.030
0.025
0.020
I D = 15 A
10
1
T J = 25 °C
0.015
0.010
0.005
0.000
T J = 125 °C
T J = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2.4
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
40
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
2.2
32
2.0
I D = 250 μA
1. 8
1.6
24
16
1.4
8
1.2
1.0
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
Limited b y R DS(on) *
10
100 μs
1 ms
Time (s)
Single Pulse Power
1
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
BVDSS Limited
10 ms
100 ms
10 s
1s
DC
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 69026
S09-0269-Rev. B, 16-Feb-09
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